技術(shù)編號(hào)：12370368
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種MOSFET器件及端接結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種橫向超級(jí)結(jié)MOSFET器件及端接結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)眾所周知，引入超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)可以改善半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。例如，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件可以引入垂直或水平的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，以優(yōu)化晶體管的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓性能。作為示例，F(xiàn)ujihira在《半導(dǎo)體超級(jí)結(jié)器件理論》(日本應(yīng)用物理雜志1997年10月36卷6254-6262頁)文章中提出了垂直超級(jí)結(jié)器件的結(jié)構(gòu)。美國專利號(hào)6,097,063也提出了一種具有漂流區(qū)的垂直半導(dǎo)體器件，其中如...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。