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技術(shù)編號：12370482

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本發(fā)明屬于半導體雪崩光電探測器領(lǐng)域，特別涉及一種采用低維量子點倍增層的半導體雪崩光電探測器。背景技術(shù)半導體雪崩光電探測器(AvalanchePhotodiode，APD)是一種利用載流子碰撞離化倍增效應(yīng)實現(xiàn)內(nèi)部光電流放大的高靈敏型光探測器。其基本結(jié)構(gòu)是一個工作于大反向偏壓下的半導體光電二極管，通過利用耗盡區(qū)內(nèi)光生載流子的碰撞離化倍增效應(yīng)實現(xiàn)器件內(nèi)光電流增益?？商峁┍萈IN型探測器高5dB甚至以上的光電流增益。APD還具有更低的結(jié)電容，因此能同時滿足高速響應(yīng)和高探測靈敏度。根據(jù)所用半導體材料的不同...
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