技術(shù)編號:12370530
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。:本發(fā)明涉及一種GaN外延結(jié)構(gòu)以及制備方法,特別涉及一種用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)以及制備方法。背景技術(shù):二十世紀九十年代初,以GaN為代表的第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料獲得了歷史性突破,科研人員在GaN材料上成功地制備出藍綠光和紫外光LED,使得LED照明成為可能。1971年,第一只氮化鎵LED管芯面世,1994年,氮化鎵HEMT出現(xiàn)了高電子遷移率的藍光GaN基二極管,氮化鎵半導(dǎo)體材料發(fā)展十分迅速。GaN基多量子阱發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)進入市場并取得很大進展,但是芯片出光效率低下并且衰減的問題仍未...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。