技術(shù)編號(hào)：1243743
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種。該微電極陣列植入式芯片包括基底，其前端呈針狀，向后逐漸增寬；測(cè)試電極層，形成于基底上，包括至少一種的微電極陣列；絕緣層，形成于除微電極陣列所在區(qū)域之外的基底上；以及參比電極層，形成于絕緣層上，與測(cè)試電極層的微電極陣列相互錯(cuò)開，包括與至少一種微電極陣列相對(duì)應(yīng)的參比電極。本發(fā)明中，參比電極與測(cè)試電極分布在不同平面上，從而節(jié)約了芯片面積，方便進(jìn)行植入式操作。專利說明[0001]本發(fā)明涉及微機(jī)械系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanica...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。