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一種基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)的制作方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12457615

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本發(fā)明涉及一種基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)近年來(lái),基于等離子體亞微米功率分束器(文獻(xiàn)1:J.Wang,X.Guan,Y.He,Y.Shi,Z.Wang,S.He,P.Holmstr,L.Wosinski,L.Thylen,andD.Dai,“Sub-μm2powersplittersbyusingsiliconhybridplasmonicwaveguides,”O(jiān)pticsexpress,19(2),838-847(2011))、多模干涉分...
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