技術編號：12483317
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體光放大器領域，特別涉及一種具有拋物線形曲面波導結構的GaAs基半導體光放大器。背景技術半導體光放大器是以半導體材料作為增益介質，能對外來光子進行放大或提供增益的光電器件，其具有工作波長范圍大、結構簡單、體積小、功耗低、可與其他有源和無源光電子器件進行混合或單片集成、制作工藝成熟等優(yōu)點。半導體光放大器是未來全光網絡中實現全光信號處理和補償光損耗的重要器件，在光通信系統(tǒng)中有著廣泛的應用，不僅可做光發(fā)送機的功率放大器、線路的中繼放大器、光接收機的前置放大器和光分路補償放大器，而且還可以...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。