技術(shù)編號：12498375
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。：本實(shí)用新型涉及低維納米材料和納米技術(shù)，尤其是氣相沉積制備單晶Ag摻雜氧化鋅六方微米管的裝置。背景技術(shù)：半導(dǎo)體納米材料由于其獨(dú)特的物理特性，在各種光電器件上有很廣泛的應(yīng)用前景。直接帶隙半導(dǎo)體ZnO，帶隙能為3.37eV，大的結(jié)合能為60meV，具有重要的應(yīng)用前景，是構(gòu)造異質(zhì)結(jié)或超晶格的物質(zhì)，可以獲得高性能的激光二極管和光發(fā)射二極管裝置，因而引起了廣泛的關(guān)注。各種形貌的ZnO已經(jīng)被成功的制備出，如：納米線，納米帶，納米管，納米環(huán)等等。由于納米材料具有微小的尺度，不易操作等特點(diǎn)，造成納米器件的組裝成...
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