技術(shù)編號(hào)：12513894
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于沿著制造工藝線測(cè)量晶片的輻射及溫度暴露的方法及系統(tǒng)相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考本申請(qǐng)案涉及且主張從以下列出的申請(qǐng)案(“相關(guān)申請(qǐng)案”)的最早可用有效申請(qǐng)日期的權(quán)益(例如，主張除臨時(shí)專利申請(qǐng)案以外的最早可用優(yōu)先權(quán)日期或根據(jù)35USC§119(e)主張對(duì)于臨時(shí)專利申請(qǐng)案、對(duì)于相關(guān)申請(qǐng)案的任何及全部上一代(parent)、上兩代(grandparent)、上三代(great-grandparent)等等申請(qǐng)案的權(quán)益)。相關(guān)申請(qǐng)案：出于USPTO非法定要求的目的，本申請(qǐng)案構(gòu)成2014年10月14日申請(qǐng)的申請(qǐng)序...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。