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本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體芯片的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種MOCVD系統(tǒng)用的加熱盤，內(nèi)填空有易熔導(dǎo)電材料。背景技術(shù)MOCVD(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積)是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。MOCVD是制備化合物半導(dǎo)體外延材料的核心設(shè)備，以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，主要用于生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的...
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