技術(shù)編號:12541303
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有改進(jìn)的源極/漏極接觸區(qū)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)在現(xiàn)今迅速發(fā)展的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中,集成度提高了,器件部件變得越來越小,并且對改善器件性能提出更高的要求。當(dāng)CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)器件縮小到用于未來技術(shù)的更小尺寸時,新材料和新構(gòu)思必須滿足先進(jìn)的性能要求。CMOS技術(shù)包括在同一襯底上以及同一管芯中形成的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)和PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)器件。NMOS和PMOS以及各種其他器件中的高性能的關(guān)鍵方面是器件速度。為了使器件高速運行,必須具有極低...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。