技術(shù)編號：12542144
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種具有非對稱源極/漏極結(jié)構(gòu)的FinFET及其制造方法。背景技術(shù)晶體管是現(xiàn)代集成電路的關(guān)鍵組件。為滿足逐漸更快速度的要求，晶體管的驅(qū)動電流需要逐漸增大。由于晶體管的驅(qū)動電流與晶體管的柵極寬度成比例，因此優(yōu)選具有更大寬度的晶體管。然而，柵極寬度的增加與減小半導體器件的尺寸的要求相沖突。因此開發(fā)出了鰭式場效應晶體管（FinFET）。FinFET的引入具有在不占用更多片上面積的情況下增加驅(qū)動電流的有利特點。然而，F(xiàn)inFET晶體管的小尺寸引起了在它們的制造和生產(chǎn)...
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