技術(shù)編號(hào)：12545527
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種多晶硅的引晶方法，尤其涉及一種生產(chǎn)高效多晶硅的引晶片及引晶方法，屬于太陽電池晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)晶體硅的鑄錠生長(zhǎng)過程是晶體硅太陽能電池生產(chǎn)過程中的重要環(huán)節(jié)。晶體硅的晶體質(zhì)量從根本上決定了硅晶體太陽能電池的性能。高效多晶硅憑借其較高的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)成為了目前主流的太陽能電池材料。高效多晶硅鑄錠通過生長(zhǎng)柱狀晶粒，以增加晶體內(nèi)部垂直或近似垂直于電池PN結(jié)界面的晶界體積作為代價(jià)，利用細(xì)化的初期晶粒降低晶粒內(nèi)部的初始位錯(cuò)密度，利用豐富的晶界吸收晶粒生長(zhǎng)、退火、降溫及后期熱處理過程中產(chǎn)生的應(yīng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。