技術(shù)編號：12550116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種雙區(qū)加熱的等離子增強化學氣相沉積腔體晶圓基座所屬技術(shù)領(lǐng)域本實用新型涉及一種雙區(qū)加熱的等離子增強化學氣相沉積腔體晶圓基座，屬于半導體芯片生產(chǎn)設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)隨著半導體芯片制造技術(shù)的發(fā)展，300mm直徑尺寸晶圓的芯片制造已經(jīng)成為當今半導體芯片制造業(yè)的主流。在芯片制造過程中，等離子增強化學氣相沉積（PECVD）技術(shù)被廣泛應(yīng)用于硅的氧化物、氮化物和多晶硅等薄膜的沉積工藝。300mm的晶圓尺寸較大，在等離子增強化學氣相沉積過程中，晶圓表面中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的薄膜沉積速率會有差異，而造成整片晶圓...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。