技術(shù)編號：12550235
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)配置方法及應(yīng)用其的電子系統(tǒng)，且特別是一種可改善編程干擾(programdisturb)的數(shù)據(jù)配置方法及應(yīng)用其的電子系統(tǒng)。背景技術(shù)閃存(flashmemory)是非易失性存儲器(non-volatilememory)技術(shù)的一種。閃存具有訪問速度快、耗電量低的優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的閃存采用浮置柵極(floatinggate)存儲單元。通過對浮置柵極注入/釋放電子，可改變存儲單元的閥電壓分布，使其對應(yīng)于特定的數(shù)據(jù)狀態(tài)。然而，隨著存儲器裝置的密度增加且存儲單元間變得越來越緊密，編程干擾(prog...
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