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技術(shù)編號：12585305

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種化學(xué)氣相沉積裝置。背景技術(shù)金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）技術(shù)能在納米尺度上精確控制外延層的厚度、組分、摻雜及異質(zhì)結(jié)界面，已經(jīng)成為生長高質(zhì)量化合物半導(dǎo)體薄膜材料和器件的重要技術(shù)手段，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體激光器、高亮度發(fā)光二極管、太陽能電池等領(lǐng)域，并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，尤其在氮化鎵基發(fā)光二極管和激光器等領(lǐng)域獲得巨大的產(chǎn)業(yè)化成功。目前，主流的MOCVD設(shè)備根據(jù)氣流通道設(shè)計可分為垂直式和水平式反應(yīng)腔。垂直式反應(yīng)腔以Emcore（被Veeco收購）的高速旋轉(zhuǎn)盤式反應(yīng)腔...
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