技術編號：12603235
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體元件本發(fā)明是中國發(fā)明專利申請（申請?zhí)枺?01010221717.0，申請日：2010年7月9日，發(fā)明名稱：半導體元件）的分案申請。技術領域本發(fā)明涉及一種半導體元件，特別涉及一種半導體元件，其在圖案化基板的凸塊(具有多個晶格方向)上的外延層實質上具有單一晶格方向，以便降低缺陷密度并提升靜電放電(ESD)防護能力。背景技術半導體元件(例如發(fā)光二極管)，已經(jīng)被廣泛地應用在各種交通號志、車用電子、液晶顯示器背光模塊以及一般照明等。發(fā)光二極管基本上是在基板上依序形成n型半導體層、發(fā)光區(qū)域、p型半導體...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。