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技術(shù)編號(hào)：12612430

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種超結(jié)MOSFET器件的制造方法及器件。背景技術(shù)為了節(jié)約能量，減少器件的功率損耗尤為重要，例如，在直流-直流轉(zhuǎn)換器中所使用的器件的功率損耗。對(duì)于金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，簡(jiǎn)稱MOSFET)器件，可以通過減小器件的導(dǎo)通電阻來減小功率損耗。但是，由于擊穿電壓與導(dǎo)通電阻成反比關(guān)系，所以當(dāng)MOSFET器件的導(dǎo)通電阻減小時(shí)，會(huì)對(duì)器件的擊穿電壓產(chǎn)生不利的影響。目...
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