技術(shù)編號(hào)：12612960
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶體管的形成方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件集成度的不斷提高，技術(shù)節(jié)點(diǎn)的降低，傳統(tǒng)的柵介質(zhì)層不斷變薄，晶體管漏電量隨之增加，引起半導(dǎo)體器件功耗浪費(fèi)等問題。為解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)提供一種將金屬柵極替代多晶硅柵極的解決方案。其中，“后柵(gatelast)”工藝為形成高K金屬柵極晶體管的一個(gè)主要工藝?，F(xiàn)有形成高K金屬柵極晶體管的方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵介質(zhì)層和覆蓋柵介質(zhì)層的偽柵極，以及位于所述半導(dǎo)體襯底上并覆蓋所述柵介質(zhì)層和偽柵極的介質(zhì)層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。