技術(shù)編號(hào)：12612961
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開所描述的實(shí)施例涉及具有阻擋的半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的封裝以及制造半導(dǎo)體器件的方法。本公開的實(shí)施例具體地涉及具有離子吸收層的半導(dǎo)體器件及制造離子吸收層的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)在于離子遷移。隨著小型化器件的發(fā)展趨勢(shì)，遷移離子到達(dá)例如柵氧化層的風(fēng)險(xiǎn)不斷增加。這會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的閾值電壓變化。而閾值電壓變化又可能導(dǎo)致半導(dǎo)體器件故障。在遷移離子中，已知鈉離子以相當(dāng)快的速度穿過半導(dǎo)體器件。具體地，鈉通常是組成元素并具有相對(duì)小的離子半徑。相應(yīng)地，結(jié)合鈉離子以阻止鈉離子到達(dá)例如柵氧化層是富有挑戰(zhàn)性...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。