技術(shù)編號：12612978
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種埋藏型金屬柵格生成方法及圖像傳感器制造方法。背景技術(shù)現(xiàn)有圖像傳感器的像素陣列區(qū)的埋藏型金屬柵格的生成方法為：采用光刻完全去除半導(dǎo)體基底的像素陣列區(qū)的待生成金屬柵格區(qū)基底層，然后在半導(dǎo)體基底上沉積金屬層，最后對金屬層進行光刻，以在像素陣列區(qū)形成金屬柵格。但是，由于光刻完全去除半導(dǎo)體基底的像素陣列區(qū)的待生成金屬柵格區(qū)基底層后，半導(dǎo)體基底的像素陣列區(qū)和非像素陣列區(qū)存在高度差，其易導(dǎo)致對金屬層進行光刻過程中，抗反射層和光阻層的涂覆不均勻，進一步影響光刻效果，降低...
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