技術(shù)編號：12612996
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置。背景技術(shù)現(xiàn)有TFT-LCD(薄膜晶體管液晶顯示器)行業(yè)中低世代線采用的陣列基板曝光設(shè)備精度普遍較低，使得TFT(薄膜晶體管)溝道長度L比較長，無法進(jìn)一步縮短，由于薄膜晶體管的開態(tài)電流與TFT的溝道寬長比W/L成正比，因此，會導(dǎo)致薄膜晶體管的開態(tài)電流比較??；隨著高端顯示產(chǎn)品PPI(像素密度)越來越高，為了滿足顯示產(chǎn)品的充電率需求，需要提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，因此需要將薄膜晶體管的溝道寬度設(shè)計的比較大，這樣就嚴(yán)重影響了...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。