技術(shù)編號：12620830
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種高電壓閾值器件的傳輸門及其后續(xù)下拉電路結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在高電壓閾值的電子器件中，通常需要對傳輸門后接下拉電路。傳輸門通常的結(jié)構(gòu)是由一對柵極控制的NMOS晶體管和PMOS晶體管構(gòu)成，它們的柵極連接到不同的信號針。而后接的下拉電路通常是柵極控制的NMOS晶體管。通常，傳輸門中的PMOS晶體管與下拉電路中的NMOS晶體管的柵極連接到相同的信號針，而該信號針與連接到傳輸門中的NMOS晶體管的信號針的電平高低邏輯相反。當NMOS晶體管的柵極信號針為邏輯低電平且PMO...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。