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本實(shí)用新型屬于晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，涉及一種制備SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)，具體涉及一種提高SiC單晶生長(zhǎng)穩(wěn)定性及制備效率的坩堝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的一員，相對(duì)于常見(jiàn)Si和GaAs等半導(dǎo)體材料，碳化硅材料具有禁帶寬度大、載流子飽和遷移速度高，熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高等諸多優(yōu)異的性質(zhì)?；谶@些優(yōu)良的特性，碳化硅材料是制備高溫電子器件、高頻、大功率器件更為理想的材料。特別是在極端條件和惡劣條件下應(yīng)用時(shí)，SiC器件的特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了Si器件和GaAs器件。同時(shí)SiC另一種寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN最好...
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