技術(shù)編號：12646391
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種SACVD腔室的清潔方法。背景技術(shù)亞常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)工藝指的是將反應(yīng)氣體在腔室內(nèi)進(jìn)行沉積反應(yīng)時壓強(qiáng)為500torr～600torr的一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。亞常壓化學(xué)氣相沉積工藝具有較佳的階梯覆蓋能力和溝槽填充能力，且其反應(yīng)過程為純化學(xué)反應(yīng)，不產(chǎn)生等離子體損傷?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，亞常壓化學(xué)氣相沉積工藝被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造工藝的前道工序FEOL(Front-End-Of-Line)中的溝槽填充，如淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中對淺溝槽填充、以及形成層間介質(zhì)層過程中...
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