技術(shù)編號(hào)：12646401
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于飛秒激光的半導(dǎo)體金剛石薄膜摻雜后處理方法和裝置。背景技術(shù)半導(dǎo)體金剛石所具有的獨(dú)特的物理性質(zhì)使它在高溫大功率電力電子器件、微波功率器件、深紫外光和高能粒子探測(cè)器、深紫外發(fā)光器件、單光子光源、生物和化學(xué)傳感器、微機(jī)電（MEMS）和納機(jī)電（NEMS）器件、自旋電子學(xué)等眾多領(lǐng)域有著極大的應(yīng)用潛力。近些年來(lái)，半導(dǎo)體金剛石材料和器件的制備技術(shù)發(fā)展引起越來(lái)越多研究和技術(shù)人員的重視。實(shí)現(xiàn)有效的n型和p型電學(xué)摻雜是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。然而目前半導(dǎo)體金剛石材料的摻雜技術(shù)仍...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。