技術(shù)編號：12646409
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于光刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種氮化硼薄膜的刻蝕方法。背景技術(shù)六方氮化硼是一種室溫下化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)穩(wěn)定的電介質(zhì)材料，常用于高溫潤滑劑、石墨烯等二維電子器件、深紫外發(fā)光器件和介電陶瓷等領(lǐng)域。在制備電子器件時，需要將氮化硼刻蝕成一定的圖案，而六方氮化硼穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì)使六方氮化硼的光刻難以實現(xiàn)。在強酸、強堿溶液中或高溫氫氣還原氣氛中，雖然能夠刻蝕氮化硼，但是苛刻的刻蝕條件下六方氮化硼在刻蝕的過程中構(gòu)成器件的其它組成部分也會被刻蝕。本專利通過壓印技術(shù)將氧化石墨烯轉(zhuǎn)移至氮化硼薄膜表面表面然后在...
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