技術(shù)編號:12648666
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法。背景技術(shù)為了跟上摩爾定律的腳步,人們不得不逐漸縮小金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor,簡稱為MOSFET)的特征尺寸。這樣做可以帶來增加芯片密度,提高MOSFET的開關(guān)速度等好處。但隨著晶體管溝道長度的縮短,漏極與源極的距離也隨之縮短,這樣一來柵極對溝道的控制能力變差,柵極電壓夾斷(pinchoff)溝道的難度也越來越大,如此便使亞閥值漏電(S...
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