技術(shù)編號(hào):12658640
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種GaN發(fā)光二極管抗輻照能力無(wú)損篩選方法及裝置。背景技術(shù)氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,一直是藍(lán)光發(fā)光二極管的主選材料;特別是近年來(lái)隨著航天技術(shù)和電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,GaN發(fā)光二極管LED以其發(fā)光效率高、抗輻照能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于軍事、航天、核技術(shù)等特殊環(huán)境;GaN發(fā)光二極管LED器件在太空中工作,不可避免的受到太空中各種射線的照射,從而使其性能發(fā)生衰減,所以在此條件下工作的GaN發(fā)光二極管LED器件的穩(wěn)定性一直倍受重視。航天用電子元器件在上機(jī)前或者發(fā)射...
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