技術(shù)編號：12714537
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種無機(jī)非金屬材料制造工藝，特別是涉及一種納米金剛石薄膜制備工藝，還涉及一種襯底預(yù)處理方法，應(yīng)用于金剛石薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)金剛石作為一種具有很多獨(dú)特性能的材料，如大禁帶寬度(達(dá)到5.5eV)、低介電常數(shù)、高擊穿電壓、高電子空穴遷移率、高熱導(dǎo)率以及優(yōu)越的抗輻射性能，且化學(xué)穩(wěn)定性好，所有這些物理、化學(xué)和電學(xué)特性使得金剛石有可能成為未來在高溫強(qiáng)輻射等惡劣條件下工作的電子器材材料。近些年人們把更多的注意力集中到了采用CVD法制備金剛石薄膜，并取得了很大的進(jìn)步，但是金剛石薄膜的制備過程中...
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