技術(shù)編號：12716256
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種光刻版以及光刻方法。背景技術(shù)隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路性能的提高主要是通過不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來實現(xiàn)的。隨著器件尺寸的不斷縮小，給制造和設(shè)計等諸多方面帶來很大挑戰(zhàn)，器件的穩(wěn)定性以及良率成為衡量半導體器件性能的一個重要因素。在芯片制備中通常需要進行光刻和蝕刻步驟，例如在芯片制造流程中，金屬導線圖形的定義包括光刻、刻蝕、去膠等幾個環(huán)節(jié)。如圖1a-1b所示，在光刻步驟，先在介電層101上方的金屬層102表面涂上一層光刻膠層103，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。