技術(shù)編號：12724828
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵薄膜材料外延生長的方法。背景技術(shù)氮化鎵基半導(dǎo)體薄膜材料是應(yīng)用于紫外/藍(lán)光/綠光發(fā)光二極管(LED)、激光器、光電探測器的核心基礎(chǔ)材料。同時，其優(yōu)良的高擊穿電壓、大功率、高頻、抗輻射和高溫特性在氮化鎵基高電子遷移率晶體管(HEMT)微波射頻和功率器件(電力電子)等領(lǐng)域有著廣泛的市場應(yīng)用前景。目前，氮化鎵薄膜材料通常異質(zhì)外延生長在其它材料的襯底上如藍(lán)寶石、碳化硅、硅等。由于存在晶格和熱膨脹系數(shù)的差異以及界面化學(xué)問題的影響，通常得到的氮化鎵薄膜材料的晶體質(zhì)量...
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