技術(shù)編號(hào):12724834
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一個(gè)半導(dǎo)體器件的制造方法,尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的刻蝕方法。背景技術(shù)在現(xiàn)在大規(guī)模集成電路制造中,等離子體干法刻蝕是用于圖形轉(zhuǎn)移的基本工藝。常用于在半導(dǎo)體器件層中形成所需的圖形,例如頂層金屬的刻蝕。在刻蝕中通常需要先采用光刻的方法在待刻蝕的金屬層上形成一層掩膜圖形,用來保護(hù)要保留的金屬圖形,光刻(photoetchingorlithography)是通過一系列生產(chǎn)步驟,將晶片表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后,晶片表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。通過光刻工藝過程,最終在晶片上保留的是...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。