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技術(shù)編號(hào)：12724840

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本發(fā)明屬于碳化硅半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體涉及一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)碳化硅(SiC)作為一種新興的第三代半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的物理和電學(xué)特性。在電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、綠色能源等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。SiCIGBT(絕緣柵雙極型晶體管)器件兼具M(jìn)OSFET(金氧半場(chǎng)效晶體管)器件開(kāi)關(guān)速度快和BJT(雙極型三極管)器件導(dǎo)通電阻小的特點(diǎn)，在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)利用漂移區(qū)電導(dǎo)調(diào)制作用，IGBT的漂移區(qū)電阻相對(duì)于MOSFET大幅降低。作為一種功率器件，IGBT需要更...
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