技術編號：12724889
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶體管的形成方法。背景技術隨著集成電路制造技術的快速發(fā)展，集成電路中半導體器件的尺寸不斷地縮小，以此滿足集成電路發(fā)展的微型化和集成化的要求。晶體管器件作為MOS器件中的重要組成部分之一，隨著其尺寸持續(xù)縮小，現(xiàn)有技術中以氧化硅或氮氧化硅材料形成的柵介質(zhì)層，已無法滿足晶體管對于性能的要求。尤其是以氧化硅或氮氧化硅作為柵介質(zhì)層所形成的晶體管容易產(chǎn)生漏電流以及雜質(zhì)擴散等一系列問題，從而影響晶體管的閾值電壓，造成晶體管的可靠性和穩(wěn)定性下降。為解決以上問題，提出了一...
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