技術(shù)編號(hào)：12724890
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件及其制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2015年11月30日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)第62/261,289號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地，涉及具有全環(huán)柵結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工業(yè)在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的過(guò)程中進(jìn)入納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，來(lái)自制造和設(shè)計(jì)問題的挑戰(zhàn)已經(jīng)引起了三維設(shè)計(jì)的發(fā)展，諸如多柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)(鰭式finFET(FinFET)和全環(huán)柵(GAA)FET)。在Fi...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。