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技術(shù)編號：12725221

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用于FINFET架構(gòu)的用固態(tài)擴散源摻雜的隔離阱本申請為分案申請，其原申請是于2016年2月25日(國際申請日為2013年9月25日)向中國專利局提交的專利申請，申請?zhí)枮?01380079126.6，發(fā)明名稱為“用于FINFET架構(gòu)的用固態(tài)擴散源摻雜的隔離阱”。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實施例總體上涉及集成電路(IC)，并且更具體而言涉及FinFET的阱雜質(zhì)摻雜。背景技術(shù)單片IC一般包括若干晶體管，例如制造于平面襯底(例如硅晶片)之上的金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。片上系統(tǒng)(SoC)架構(gòu)在模...
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