技術(shù)編號：12725296
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高擊穿電壓的氮化鎵高電子遷移率晶體管及其形成方法。背景技術(shù)由于能滿足現(xiàn)代電子科技對高溫、高頻、高壓、高功率以及抗輻射等高性能的要求，氮化鎵(GaN)獲得了人們極大的關(guān)注。GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)作為功率器件應(yīng)用，是目前國際上大力發(fā)展的前沿?zé)狳c技術(shù)，也是我國能源發(fā)展中迫切需要的關(guān)鍵電力電子技術(shù)的核心技術(shù)。雖然GaN基HEMT本身理論擊穿電壓值很高，但是當(dāng)前作為功率開關(guān)器件的GaN基HEMT耐高壓能力遠不及理論計算的擊穿電壓值，這極大地限制了其在高...
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