技術(shù)編號：12725607
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)及雪崩二極管的制造方法。背景技術(shù)制造高頻響應(yīng)的雪崩二極管(AvalanchePhotodiodes：APD)時，如果采用平面結(jié)構(gòu)設(shè)計時，一般需要采用鋅擴散的技術(shù)來定義器件的接收面積大小，這個器件的接收面積大小通常就是鋅擴散的面積的大小。對于高頻響應(yīng)的雪崩二極管器件，需要很精準的控制雪崩增益層的厚度以達到最佳的器件操作特性，尤其是器件的頻率響應(yīng)。參考圖1所示，雪崩二極管的光吸收層的上一層一般采用低摻雜InP材料構(gòu)成，其總厚度為T(一般為...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。