技術(shù)編號：12729104
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種背面觀察基座，特別地涉及一種用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座。本發(fā)明還涉及采用該背面觀察基座在芯片失效分析中進行精確定位的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，隨著IC制程向小尺寸多層次發(fā)展，在芯片失效(FA)分析中為了提高失效分析的準(zhǔn)確度，在采用PEM(photoemissionmicroscope，光子發(fā)射顯微鏡)/OBIRCH(opticalbeaminducedresistancechange，光束誘發(fā)阻抗值變化測試)進行芯片失效位置定位時，越來越多地采用背面(back...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。