技術(shù)編號：12736850
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。：本發(fā)明涉及空間等離子體科學(xué)模擬系統(tǒng)裝置工程技術(shù)領(lǐng)域，主要涉及一種用于高磁通環(huán)形磁體高真空環(huán)境中的運(yùn)動(dòng)密封結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：高磁通環(huán)形磁體主要是用來研究高磁通環(huán)形磁體產(chǎn)生的等離子體同地球磁場產(chǎn)生的等離子體相互作用模擬不同磁場條件下磁鞘等離子體與地球磁層相互作用的部分現(xiàn)象，特別是向陽面磁層頂磁重聯(lián)過程。而高磁通環(huán)形磁體需要在真空環(huán)境下才能工作，所以設(shè)計(jì)一種能用于高磁通環(huán)形磁體高真空環(huán)境中的運(yùn)動(dòng)密封結(jié)構(gòu)是非常必要的。發(fā)明內(nèi)容：本發(fā)明目的就是為了彌補(bǔ)已有技術(shù)的缺陷，提供一種用于高磁通環(huán)形磁體高真空環(huán)境中...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。