技術(shù)編號(hào):12737076
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種制造技術(shù),且特別是關(guān)于一種半導(dǎo)體制造方法與半導(dǎo)體層。背景技術(shù)為了結(jié)晶化半導(dǎo)體,一般而言考慮到基板的內(nèi)受溫度,準(zhǔn)分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing,ELA)的制程是目前較常采用的技術(shù)。然而,線掃描(Linearscanning)的準(zhǔn)分子激光退火受限于激光光點(diǎn)的尺寸而無(wú)法一次處理大面積的區(qū)域,并且由于每一個(gè)激光光點(diǎn)的功率不穩(wěn)定,造成均勻性不佳而容易產(chǎn)生斑(Mura)的問(wèn)題。因此,產(chǎn)能與基板的面積難以提高,生產(chǎn)成本居高不下之外,結(jié)晶品質(zhì)與晶粒尺寸亦不理想。發(fā)明內(nèi)容...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。