技術編號：12737136
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種半導體結構以及測試柵極氧化層的擊穿電壓的方法。背景技術隨著半導體技術的飛速發(fā)展和微電子芯片集成度的大幅提高，集成電路設計和加工水平已經進入納米MOS時代，影響器件可靠性的因素不斷出現(xiàn)，由此導致納米MOS器件性能退化。柵極氧化層的耐壓性能是MOS器件可靠性評估的重要方面。柵極氧化層的時變介質擊穿(Time-DependentDielectricBreakdown，TDDB)是柵極氧化層耐壓性能的重要指標之一，其中，時變介質擊穿是與時間有關的一種電介質的擊穿...
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