技術編號：12737172
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明各個實施例及其實施方式涉及集成電路，具體地，涉及在半導體襯底內(nèi)制造結型場效應晶體管(JFET)，適用于雙極技術和CMOS技術(BiCMOS)。背景技術JFET晶體管通常在輸出處提供較低的電噪聲，并且通常具有良好的高壓性能。例如，JFET晶體管用于具有高輸出阻抗的精密運算放大器的輸入級。雙極晶體管顯示出高增益、高輸出阻抗并在高頻下提供良好的性能，這使得它們有利地用于例如高頻模擬放大器。另一方面，使用CMOS技術制造的MOS晶體管通常顯示出高輸入阻抗并且尤其在數(shù)字電子的邏輯電路中使用時。BiC...
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