技術(shù)編號：12737178
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。背景技術(shù)干法刻蝕(DryEtch)是利用高能等離子體撞擊薄膜表面，達(dá)到刻蝕薄膜的目的，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示的制造領(lǐng)域?，F(xiàn)有的顯示面板制備領(lǐng)域均涉及到在絕緣層上形成接觸孔(全稱為contact，縮寫為CNT)的工藝，主要步驟為在絕緣層上形成具有一定圖案的光刻膠層；對光刻膠暴露出的絕緣層的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，以在所需的區(qū)域形成過孔。刻蝕目標(biāo)通常為氧化物和/或氮化物(例如硅氧化物SiOx和/或硅氮化物SiNy)，在對光刻膠暴露...
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