技術(shù)編號：12747966
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體存儲器件及包括其的存儲系統(tǒng)相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2015年7月13日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0099188的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本公開涉及一種電子器件，具體地，涉及一種輸出就緒-繁忙信號的半導(dǎo)體存儲器件及包括其的存儲系統(tǒng)。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲器件可以使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)等的半導(dǎo)體來實施。半導(dǎo)體存儲器件可以分類為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。在易失性存儲器件中，電源關(guān)斷可以導(dǎo)致儲存在其中的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。