技術(shù)編號：12757519
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及光刻系統(tǒng)，特別涉及一種掩膜圖形的獲取方法、最佳焦平面位置測量方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)光刻機是集成電路制造中的重要設(shè)備，光刻機的性能決定了集成電路制造中器件的特征尺寸。在光刻機中投影物鏡系統(tǒng)是核心部件，其主要功能是通過聚焦實現(xiàn)曝光，從而將掩膜版上的掩膜圖形按照一定比例成像到要加工的對象上。光刻機的投影物鏡系統(tǒng)的焦深在一定的范圍內(nèi)，尤其是隨著光刻技術(shù)發(fā)展到20nm以及以下技術(shù)節(jié)點，光刻機的焦深在60nm以下。而焦深的大小決定了成像的尺寸，在通常情況下，實際的成像焦平面相對于最佳焦平面位置會存在...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。