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技術(shù)編號：12770800

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本發(fā)明屬于磁控濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提高SiO2薄膜磁控濺射沉積速率方法。背景技術(shù)薄膜科學(xué)技術(shù)的發(fā)展日新月異，薄膜制備技術(shù)日趨完善。制備方法很多,如溶膠-凝膠法、噴涂法、化學(xué)汽相沉積法和磁控濺射法等,磁控濺射又分直流、中頻和射頻幾種。采用中頻電源的孿生靶的反應(yīng)磁控濺射沉積速率高成膜質(zhì)量好,有效抑制打火、陽極消失,中頻電源與靶之間的連接比較簡單,大功率中頻電源也易于實現(xiàn),在真空鍍膜工業(yè)中占據(jù)的地位越來越重要。由于反應(yīng)濺射的遲滯效應(yīng)和過程不穩(wěn)定,采用中頻電源的孿生靶的反應(yīng)磁控濺射還是無法消除...
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