技術(shù)編號：12779667
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種能實現(xiàn)溫度場實時調(diào)整的SiC單晶生長裝置及利用該裝置生長SiC單晶的方法，屬于晶體生長設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)SiC晶體與諸多其他半導(dǎo)體單晶材料相比，其具有硬度高(僅次于金剛石)、熱導(dǎo)率高(4.9W/cm·K)、熱膨脹系數(shù)低(3.1-4.5×10-6/K)、禁帶寬度大(2.40-3.26eV)、飽和漂移速度高(2.0-2.5×107cm/s)，臨界擊穿場強(qiáng)大(2～3×106V/cm)、化學(xué)穩(wěn)定性高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性能。這些優(yōu)異的性能使SiC半導(dǎo)體器件能在高溫、高壓、強(qiáng)輻射的極端環(huán)...
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