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一種半導(dǎo)體生長(zhǎng)工藝的制作方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12788030

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別是涉及一種半導(dǎo)體生長(zhǎng)工藝。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)材料擁有較高的飽和電子速率,高的擊穿電壓以及高耐溫的特性,在功率轉(zhuǎn)換與射頻電子器件中有重大的應(yīng)用價(jià)值。在硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵材料因成本低,尺寸大,散熱相對(duì)較好等特點(diǎn)為這種材料的產(chǎn)業(yè)化提供了解決方案。由于硅相對(duì)于氮化鎵具有更大的熱膨脹系數(shù),從較高的生長(zhǎng)溫度降至室溫的過(guò)程中常常導(dǎo)致裂紋的產(chǎn)生。目前采用的解決方案是:在生長(zhǎng)過(guò)程中通過(guò)高鋁組分的薄膜為氮化鎵提供壓應(yīng)力(CompressiveStrain),用于平衡降溫過(guò)程中的張熱應(yīng)...
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