技術(shù)編號(hào)：12788078
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工藝中，所形成的淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)的性能對(duì)于最后形成的半導(dǎo)體器件的性能和良率而言至關(guān)重要。現(xiàn)有的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下幾個(gè)主要步驟：如圖1A-1B所示，首先，在半導(dǎo)體襯底100上形成緩沖層101和硬掩膜層(SiN)102，圖案化緩沖層和硬掩膜層，刻蝕半導(dǎo)體襯底形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的開(kāi)口，再沉積淺溝槽隔離材料103填充所述開(kāi)口，進(jìn)行CMP停止于硬掩膜層102上，再回蝕刻部分淺溝槽隔離材料103，之后去...
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